一、试验目的
测量电容型套管主电容和末屏对地的电容量和介质损耗因数tanθ，是判断高压套管是否受潮、绝缘劣化的一个重要试验项目。
二、试验方法
测量单套管主电容的电容量和介质损耗因数tanθ，可以采用西林电桥正接法测量。套管高压端加电压测量，末屏接入西林电桥测量端。
对安装于变压器上的套管测量时，应给被试套管连接的所有绕组短接加压，其余绕组短接接地。因为未短路绕组的各部位电位和相角可能不同，通过杂散电容对被测套管的测量产生影响。对于未安装在变压器上的套管(如马上要安装到变压器上的电容型套管)，应将套管垂直竖立，中间法兰接地，套管下半部侵入合格的变压器油中。在上述测量中应将套管表面擦拭干净，排除瓷套表面脏污的影响。
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三、末屏对地的介质损耗因数tanθ
除测量主电容的电容量和介质损耗因数tanθ外，还需要测量末屏对地的介质损耗因数tanθ。DL/T 596——1996《电气设备预防性试验规程》中规定当电容型套管末屏对地绝缘电阻小于1000MΩ时，需要测量末屏对地介质损耗因数tanθ，其值不大于2%。测量电容型套管末屏对地的介质损耗因数tanθ对发现绝缘受潮很灵敏，测量时采用电桥反接法测量，带你呀不应大于3kV。