进入2016年最后一个季俣觊鄄幼度，也是国内外各大固态硬盘厂商发布新品最为密集的时候了。尤其是NVMe协议在全行业的普及，技术层面的创新力度不断加大，使得今年的新品都颇具实力。
工具/原料
英特尔（Intel）600P系列 M.2 2280接口固态硬盘
外观综述：单面PCB设计
1、说起Intel，可谓是如雷贯耳，作为半导体市场的绝对领军人物，Intel在固态硬盘行业的技术实力、资源布局、市场占有等诸多方面都位列行业领先水平。
2、Intel600P正面图
3、作为2016年新品，M.2接口的设计我们并不陌生，在DIY硬件小巧化精致化的时代背景下，能够直插PCIe的M.2接口是未来发展的趋势。
4、同时，为了进一步缩小体积，此块600P采用了多见的单面PCB板设计，仅在PCB正面，布局了闪存颗粒、主控芯片以及缓存芯片等关键元器件。
慧荣2260主控、Intel 16nm颗粒
1、在用料上，此款600P延续Intel“5”系列的传统，依旧采用第三方合作主控厂商慧荣定制版的2260主控芯片，以及自家生产的16nm3DTLC闪存颗粒。
2、具体来看，主控上采用台系厂商慧荣科技，基于NVMe协议定制的2260主控，此款2260主控采用40nm工艺制弛贾班隧程，最高支持8通道32PE闪存传输，支持NVMe1.2协议，并且自带LDPCECC智能纠错机制，PCIeGen3x4接口，支持ONFI4.0和Toggle2.0，同时还支持3DMLC/TLC颗粒。在绝对性能上，官方标称最高连续读取速度能达到2400MB/S,最高连续写入速度则能够超过1000MB/S。
3、在颗粒上，采用了编号为29F01T2ANCMG2的闪存颗粒，根据编号分析，我们可以知道这是Intel自家的16nm3DTLC闪存颗粒。
4、在缓存颗粒上，采用南亚科技编号为NT5CC256M16DP-D1缓存芯片，容量为512MB，速度为DDR3-L1600CL11的缓存芯片。
性能测试：最高连续读写速度
1、在CrystalDiskMark测试最高读取速度性能中，此款Intel600P取得了1835MB/S最高连续读取速度和451MB/S最高连续写入速度的成绩。
2、在TxBENCH测试最高连续读写性能中，此款Intel600P取得了最高读取速度1821MB/S和最高写入速度568MB/S的成绩。
性能测试：随机读写性能测试
1、在ASSSD测试中，此款600P取得了4K随机读取127923iops、4K随机写入101269iops的成绩。
2、在anvilstorageutilities测试，16队列的4K随机读写性能测试中，此款Intel600P则取得了4K随机写入132796iops以及4K随机读取79996iops的成绩。
3、在最后的综合性能上，Intel600P取得了总分4998分，带宽312.23MB/S的成绩。
