1、概述：半导体薄膜测量系统主要用于高温、真空及气氛条件下测试半导体材料电舌哆猢筢学性能的测量系统。为了更方便的研究高温条件下材料的导电性能，半导体薄膜测匪犬挚驰量系统采用直排四探针测量原理，可以测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻，按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的。
2、功能特点： 可以测量高温、真空、气氛下薄膜方块电阻和薄层电阻率；可以分析方块电阻和电阻率ρv随温度T变化的曲线；可以自动调节施加在样品的测试电压，以防样品击穿；可以与美国Keithley2400源表配套测量半导体材料；可以通过USB传输数据，数据格式是Excel格式;
3、技术规格集成化设计，触摸屏显示；温俣觊鄄幼度范围：室温-600℃；显示精度：±0.1℃ ,控温精度：±1℃电阻：10-5 Ω ~105 Ω电阻率：10-5~105Ω.cm方块电阻：10-4~106Ω/□探针压力：0~2kg可调，最大压力约2kg探针间距：2±0.01mm针间绝缘电阻≥1000MΩ电导率：10-5~105s/cm数据传输：4个USB接口可测半导体材料尺寸：薄膜直径15~30mm，厚度＜4mm