MOS管，即MOSFET:Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor--金属氧化物半导体场效应晶体管，属绝缘栅型场效应管。因仅有多数载流子参与导电，亦被称作单极型晶体管。[注意单双极型的区别]
工具/原料
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基本概念：
1、 在区分MOS管中的N沟同P沟之前，首先要了解场效应管的一个基本概念，即S、G、D三极的含义和区分，及场效应管的工作原理。为方便记忆，场效应管的三个极被称为S、G、D极，分别对应于双极型晶体管的e(发射极)、b(基极)、c(集电极)，两者间作用相似。其中S极(源极):Source，简称场效应管(FET)，由多数载流子参与导电，如果对其外加电压，载流子将从源极流向漏极，相当于发射极e；G极(栅极):Gate electrode，由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极，可被认为是开关，它可以通过使源极和漏极之间的沟道产生/消除，从而允许/阻碍载流子通过，起控制电流放大信号的作用，相当于基极b；D极(漏极):Drainelectrode，相当于集电极c。部分FET还有第四极----基极(B)或被称为【衬底】，常和源极连在一起。
工作原理：
1、 多数情况下，在MOS管中，D-S结构对称，即可对调位置。而MOS管的工作原理主要是利用外加电场来控制半导体表面的电场效应，产生反型层，通过改变导电沟道的宽窄来控制输出电流，即用输入信号电压来控制其输出电流大小，属电压控制器件。因栅极和沟道间的绝缘层，故具有很高的输入电阻，同时MOS管还具备噪声系数小、抗辐射能力强以及低电压工作的特性，并分耗尽和增强两种类型。
从定义区分：
1、以P型为基极(衬底)，漏-源极两个为N型的管子称N型MOS管。
2、以N型为基极(衬底)，漏-源极两个为P型的管子称P型MOS管。
从电路符号上区分：
1、 以基极(B)指向栅极为N型MOS管。
2、 以栅极指向基极(B)为P型MOS管。
3、 以电流从MOS管中流出为N型MOS管。
4、 以电流流入MOS管中为P型MOS管。
从特性上区分：
1、 特性上，PMOS 而言，Vgs小于一定值时导通，适用于源极接Vcc时的情况；而NMOS，Vgs大于一定值时导通，适用于源极接地时的情况。且由于PMOS导通电阻大，造价昂贵，而NMOS管导通电阻小，容易制造，所以在实际应用中，NMOS管的使用层面更广。