1、高温四探针测量系统采用什么原理开发？高温四探针测量系统采用直排四探针测量原理和单晶孛臆计周硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计研发。同时，采用双电测组合四探针法I12V34和I14V23组合模式，测量小片或大片边缘位置时，能够自动消除边界影响，提升测量精度。
2、高温四探针测量系统由哪些结构组成？高温四探针测量系统主要由高温炉膛、高温四探针测量夹具和四探针测量软件组成。手动升降台设计，让夹具和样品一起沉入炉膛中。集成一体化设计，触摸屏操作软件测量，操作简单，使用方便。
3、高温四探针测量系统可以实现哪些测量条件？高温四探针测量系统可以实现高温、真空、气氛测量系统。真空条件的实现可以保证碳化钨探针在高温下不会发生氧化，从而保证测量结果的精确性；同时可以冲入惰性气体，实现气氛实验条件。
4、高温四探针测量系统 可以测量哪些参数？高温四探针测量系统主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能，可以测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率和硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃和其他导电薄膜的方块电阻。
5、高温四探针测量系统技术规格：温度范围：RT-600℃；控温精度：±1℃；电阻：10颍骈城茇-5~105Ω；电阻率：10-5~105Ω·cm；方块电阻：10-4~106Ω/□；电导率：10-5~105s/cm；针间绝缘电阻：≥1000MΩ；样品尺寸：薄膜φ13~30mm，d＜4mm
