1、利用万用表或者数字电表对单向可控硅的绝缘电阻进行检测。具体操作时，将表笔分别接触单向可控硅的主极和控制极，在同种极性下测量，应该有一个较高的电阻值，如果电阻值很小，则表示单向可控硅无法正常工作，不合格。
2、利用测试电路对单向可控硅进行测试。具体操作是将单向可控硅连接到一个测试电路中，然后输入一个适当的电压和电流，观察单向可控硅的触发情况和输出情况，如果能够正常工作，则表示合格，否则不合格。
3、利用数字存储示波器、热像仪等设备对单向可控硅的输出波形进行观测和分析，进一步判定单向可控硅的工作情况。
4、利用外观检查的方法检查单向可控硅的外观是否出现异常，如有烧焦、裂纹等情况，应该判定为不合格。
5、利用电压-电流特性曲线测量单向可控硅的I-V特性。具体的测量方法是将单向可控硅连接到电路中，将电压逐渐加大，同时测量电流，绘制出电压-电流特性曲线。如果特性曲线的斜率比较大，其衰减移动认为比较慢，则表示单向可控硅的质量可以，反之则不合格。
6、利用测试盒对单向可控硅进行测试。测试盒是一种专业的测试设备，可以测试电力半导体器件的各项性能，包括阻断电压、触发电流、工作电流、导通损耗等参数。因此，利用测试盒测试单向可控硅可以得到更加精确的测试结果。
7、利用反向电压测试单向可控硅的反向阻断能力。具体操作是：将单向可控硅连接到测试电路中，然后给它施加反向电压，在正常工作温度下，电压应该不超过单向可控硅的反向能力。如果单向可控硅不能够承受反向电压，那么就容易损坏。
8、利用温度测试单向可控硅的温度特性。在单向可控硅的正常工作状态下，其温度应该适中，不应该出现过热等情况。可以利用红外热成像仪等设备对单向可控硅的温度进行测试，并将测试结果与相关标准进行比较。如果温度超过了标准要求，那就说明单向可控硅存在问题，不合格。
9、利用静电放电测试单向可控硅的耐静电能力。在产品制造过程中，由于电场环境的影响，单向可控硅经常会遭受静电放电，导致器件性能下降。静电放电测试可以测试单向可控硅的耐受静电放电的能力，具体操作是在器件表面产生一定的静电电荷，然后观察单向可控硅是否会受到损坏，并通过测试数据确定其静电放电敏感性以及电阻值的变化情况，以此来判定单向可控硅的质量。
10、利用倒换测试法对单向可控硅进行测试。倒换测试法是一种测试电功率半导体器件的方法之一，通过将单向可控硅安装在倒换的电路中进行测试，然后比较测试结果和相关标准的要求，以此来判断单向可控硅的好坏程度。
11、利用脉冲信号测试单向可控硅的触发能力和工作能力。通过给单向可控硅施加脉冲信号来测试它的触发、开关和反向阻断能力。具体操作是将脉冲信号输入到单向可控硅的门极之间，通过观察输出电压和电流波形来确定其工作情况，以此来判断单向可控硅的好坏程度。
12、利用热寿命测试单向可控硅的寿命和可靠性。通过在设定的温度和电压下，对单向可控硅进行连续工作测试，观察其寿命和可靠性。如果可以长时间工作且保持稳定的输出，那么就可以认为其质量可靠，反之则不可靠。
13、利用板子测试单向可控硅的导通状态和触发状态。制作一块单向可控硅的测试板，通过多个开关控制正向触发、反向触发、整流等常见操作，观察单向可控硅的导通状态和触发状态并记录数据，可以得到该单向可控硅的工作典型特性曲线。采用这种测试方法可以同时得到多个参数，并能够快速地判断设备是否合格。
14、利用X射线检测单向可控硅内部结构的缺陷和杂质。X射线检测可以检测单向可控硅内部结构的缺陷和杂质，对于提高产品的质量稳定性和可靠性有一定的帮助。X射线检测采用计算机控制，该技术已在半导体板的制造和质量控制方面广泛应用。
15、利用扫描电子显微镜(SEM)检测单向可控硅的表面缺陷、质量和形态结构。扫描电子显微镜(SEM)是一种高解析度的电子显微镜，可以检测单向可控硅表面的缺陷、质量和形态结构。这种测试方法在单向可控硅制造中非常有用，可以对器件进行详细的表面质量评估和质量控制。
16、利用噪声测试单向可控硅的电子性能。噪声测试法可以测量单向可控硅的电压噪声和电流噪声，以此来确定器件的电子噪声等级和电子性能。噪声测试的优点在于可以测量较小的噪声信号，可达到十分微小的噪声水平的测量。
17、利用有限元数值模拟分析单向可控硅的结构和电特性。利用有限元数值模拟方法模拟单向可控硅的结构和电特性，可以预测器件的工作特性和性能，帮助优化设计和生产工艺，提高产品的质量和可靠性。
18、利用声发射测试法对单向可控硅进行测试。声发射测试法是一种常用的非破坏性测试技术，可以检测单向可控硅的内部缺陷和质量问题，如气孔、裂纹、杂质等。通过对不同频率声音的测量和分析，可以预测单向可控硅的故障率和寿命。
19、利用电容测量单向可控硅的电容性能。通过测量单向可控硅的电容值、漏电流和抖动等性能参数，可以评估单向可控硅的电容性能以及稳定性。其中，电容值的大小和稳定性对单向可控硅触发及整流等工作状态均有着重要的影响，因此可以作为评估器件质量的关键参数之一。
20、利用等效电路分析单向可控硅的等效电路特性。等效电路是实际电路的简化模型，具有简单、清晰、易于分析等特点。可以利用等效电路理论，对单向可控硅的等效电路进行分析和计算，从而得出器件的等效电路特性，如等效电容、等效电阻、等效电感等。通过将得到的等效电路特性与实际测试结果进行对比，可以有效地判定单向可控硅的好坏程度。